|
Structural and electrical properties of Se-hyperdoped Si via ion implantation and flash lamp annealing |
|
|
|
Titel: |
Structural and electrical properties of Se-hyperdoped Si via ion implantation and flash lamp annealing |
Auteur: |
Liu, Fang Prucnal, S. Yuan, Ye Heller, R. Berencén, Y. Böttger, R. Rebohle, L. Skorupa, W. Helm, M. Zhou, S. |
Verschenen in: |
Nuclear instruments and methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms |
Paginering: |
Jaargang 424 (2018) nr. C pagina's 52-55 |
Jaar: |
2018 |
Inhoud: |
|
Uitgever: |
Elsevier B.V. |
Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
|
|
|
|