|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 7 van 13 gevonden artikelen
| Titel: |
Injected ion energy dependence of SiC film deposited by low-energy SiC3H9 + ion beam produced from hexamethyldisilane |
| Auteur: |
Yoshimura, Satoru Sugimoto, Satoshi Takeuchi, Takae Murai, Kensuke Kiuchi, Masato |
| Verschenen in: |
Nuclear instruments and methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms |
| Paginering: | Jaargang 420 () nr. C pagina's 6-11 |
| Jaar: |
2018 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 7 van 13 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |