|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 16 van 18 gevonden artikelen
| Titel: |
Raman study of In x Ga1− x N (x = 0.32–0.9) films irradiated with Xe ions at room temperature and 773 K |
| Auteur: |
Ai, W.S. Zhang, L.M. Jiang, W. Peng, J.X. Chen, L. Wang, T.S. |
| Verschenen in: |
Nuclear instruments and methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms |
| Paginering: | Jaargang 415 () nr. C pagina's 48-53 |
| Jaar: |
2018 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 16 van 18 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |