|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 7 van 60 gevonden artikelen
| Titel: |
Defect formation in MeV H+ implanted GaN and 4H-SiC investigated by cross-sectional Raman spectroscopy |
| Auteur: |
Huang, Kai Jia, Qi You, Tiangui Zhang, Shibin Lin, Jiajie Zhang, Runchun Zhou, Min Yu, Wenjie Zhang, Bo Ou, Xin Wang, Xi |
| Verschenen in: |
Nuclear instruments and methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms |
| Paginering: | Jaargang 406 (2017) nr. PB pagina's 656-661 |
| Jaar: |
2017 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 7 van 60 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |