|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 10 van 11 gevonden artikelen
| Titel: |
Modeling charge collection efficiency degradation in partially depleted GaAs photodiodes using the 1- and 2-carrier Hecht equations |
| Auteur: |
Auden, E.C. Vizkelethy, G. Serkland, D.K. Bossert, D.J. Doyle, B.L. |
| Verschenen in: |
Nuclear instruments and methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms |
| Paginering: | Jaargang 399 (2017) nr. C pagina's 12-19 |
| Jaar: |
2017 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 10 van 11 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |