|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 12 van 178 gevonden artikelen
| Titel: |
A SIMS and TEM analysis of the growth mechanisms of annealed buried SiO2 layers formed by incremental high-dose oxygen Ion implantation into silicon at 150 keV |
| Auteur: |
Griffin, C.J. Kilner, J.A. Chater, R.J. Staton-Bevan, A. Reeson, K.J. Hemment, P.L.F. Davis, J.R. |
| Verschenen in: |
Nuclear instruments and methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms |
| Paginering: | Jaargang 39 (1989) nr. 1-4 pagina's 5 p. |
| Jaar: |
1989 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 12 van 178 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |