|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 24 van 27 gevonden artikelen
| Titel: |
Quantification of the number of Si interstitials formed by hydrogen implantation in silicon using boron marker layers |
| Auteur: |
Darras, F.-X. Cherkashin, N. Cristiano, F. Scheid, E. Kononchuk, O. Capello, L. Claverie, A. |
| Verschenen in: |
Nuclear instruments and methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms |
| Paginering: | Jaargang 327 (2014) nr. C pagina's 4 p. |
| Jaar: |
2014 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 24 van 27 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |