|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 20 van 29 gevonden artikelen
| Titel: |
Novel Si ion implantation technique for improving the radiation hardness of SOI pseudo-MOS transistor |
| Auteur: |
Zhang, Yanwei Huang, Huixiang Bi, Dawei Tang, Minghua Zhang, Zhengxuan |
| Verschenen in: |
Nuclear instruments and methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms |
| Paginering: | Jaargang 319 (2014) nr. C pagina's 5 p. |
| Jaar: |
2014 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 20 van 29 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |