|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 4 van 15 gevonden artikelen
| Titel: |
Effect of implantation damage on transient loss of phosphorus in silicon |
| Auteur: |
Chang, Ruey-Dar Tsai, Jung-Ruey |
| Verschenen in: |
Nuclear instruments and methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms |
| Paginering: | Jaargang 313 (2013) nr. C pagina's 4 p. |
| Jaar: |
2013 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 4 van 15 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |