|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 5 van 143 gevonden artikelen
| Titel: |
Application of ion-implantation for improved non-volatile resistive random access memory (ReRAM) |
| Auteur: |
Elliman, R.G. Saleh, M.S. Kim, T.-H. Venkatachalam, D.K. Belay, K. Ruffell, S. Kurunczi, P. England, J. |
| Verschenen in: |
Nuclear instruments and methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms |
| Paginering: | Jaargang 307 (2013) nr. C pagina's 4 p. |
| Jaar: |
2013 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 5 van 143 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |