|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 9 van 19 gevonden artikelen
| Titel: |
Formation of a highly Erbium doped silicon-on-insulator layer by introducing SiO x on or into a silicon surface |
| Auteur: |
Qin, Xi-Feng Ji, Zi-Wu Chen, Ming Liu, Xiu-Hong Wang, Xue-Lin Wang, Ke-Ming Zhao, Qing-Tai Fu, Gang |
| Verschenen in: |
Nuclear instruments and methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms |
| Paginering: | Jaargang 278 (2012) nr. C pagina's 3 p. |
| Jaar: |
2012 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 9 van 19 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |