|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 93 van 113 gevonden artikelen
| Titel: |
Relaxation of a strained 3C-SiC(111) thin film on silicon by He+ and O+ ion beam defect engineering |
| Auteur: |
Häberlen, M. Murphy, B. Stritzker, B. Lindner, J.K.N. |
| Verschenen in: |
Nuclear instruments and methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms |
| Paginering: | Jaargang 272 (2012) nr. C pagina's 4 p. |
| Jaar: |
2012 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 93 van 113 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |