|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 31 van 113 gevonden artikelen
| Titel: |
Electrical and structural properties of polycrystalline 3C-SiC layer regrown from amorphized 4H-SiC(0001) by P and Al ion implantations |
| Auteur: |
Nishimura, Tomoaki Satoh, Masataka Jinushi, Takeshi Saitou, Yukio Nakamura, Tohru |
| Verschenen in: |
Nuclear instruments and methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms |
| Paginering: | Jaargang 272 (2012) nr. C pagina's 4 p. |
| Jaar: |
2012 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 31 van 113 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |