|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 7 van 26 gevonden artikelen
| Titel: |
Frequency dependence studies on the interface trap density and series resistance of HfO2 gate dielectric deposited on Si substrate: Before and after 50MeV Li3+ ions irradiation |
| Auteur: |
Singh, Vikram Shashank, N. Sharma, Satinder K. Shekhawat, R.S. Kumar, Dinesh Nahar, R.K. |
| Verschenen in: |
Nuclear instruments and methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms |
| Paginering: | Jaargang 269 (2011) nr. 23 pagina's 6 p. |
| Jaar: |
2011 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 7 van 26 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |