|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 11 van 24 gevonden artikelen
| Titel: |
Formation of Si/SiC multilayers by low-energy ion implantation and thermal annealing |
| Auteur: |
Dobrovolskiy, S. Yakshin, A.E. Tichelaar, F.D. Verhoeven, J. Louis, E. Bijkerk, F. |
| Verschenen in: |
Nuclear instruments and methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms |
| Paginering: | Jaargang 268 (2010) nr. 6 pagina's 8 p. |
| Jaar: |
2010 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 11 van 24 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |