|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 62 van 194 gevonden artikelen
| Titel: |
Electrical properties of n-type layers formed in GaN by Si implantation |
| Auteur: |
Furuhashi, Y. Yoshida, S. Ozaki, D. Inada, T. |
| Verschenen in: |
Nuclear instruments and methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms |
| Paginering: | Jaargang 242 (2006) nr. 1-2 pagina's 4 p. |
| Jaar: |
2006 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 62 van 194 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |