Digitale Bibliotheek
Sluiten Bladeren door artikelen uit een tijdschrift
 
<< vorige    volgende >>
     Tijdschrift beschrijving
       Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
         Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
           Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
                                       Details van artikel 41 van 194 gevonden artikelen
 
 
  Dose-rate dependence of damage formation in Si by N implantation as determined from channeling profile measurements
 
 
Titel: Dose-rate dependence of damage formation in Si by N implantation as determined from channeling profile measurements
Auteur: Otto, G.
Hobler, G.
Palmetshofer, L.
Mayerhofer, K.
Piplits, K.
Hutter, H.
Verschenen in: Nuclear instruments and methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms
Paginering: Jaargang 242 (2006) nr. 1-2 pagina's 3 p.
Jaar: 2006
Inhoud:
Uitgever: Elsevier B.V.
Bronbestand: Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften
 
 

                             Details van artikel 41 van 194 gevonden artikelen
 
<< vorige    volgende >>
 
 Koninklijke Bibliotheek - Nationale Bibliotheek van Nederland