|
Strain relaxation of pseudomorphic Si1−x Ge x /Si(100) heterostructures by Si+ ion implantation |
|
|
|
Titel: |
Strain relaxation of pseudomorphic Si1−x Ge x /Si(100) heterostructures by Si+ ion implantation |
Auteur: |
Holländer, B. Buca, D. Lenk, St. Mantl, S. Herzog, H.-J. Hackbarth, Th. Loo, R. Caymax, M. Mörschbächer, M.J. Fichtner, P.F.P. |
Verschenen in: |
Nuclear instruments and methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms |
Paginering: |
Jaargang 242 (2006) nr. 1-2 pagina's 4 p. |
Jaar: |
2006 |
Inhoud: |
|
Uitgever: |
Elsevier B.V. |
Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
|
|
|
|