|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 165 van 194 gevonden artikelen
| Titel: |
Solid phase epitaxial regrowth of amorphous layers in silicon created by low energy phosphorus implantation: A medium energy ion scattering study |
| Auteur: |
Ruffell, S. Mitchell, I.V. Simpson, P.J. |
| Verschenen in: |
Nuclear instruments and methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms |
| Paginering: | Jaargang 242 (2006) nr. 1-2 pagina's 4 p. |
| Jaar: |
2006 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 165 van 194 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |