|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 159 van 213 gevonden artikelen
| Titel: |
Rate enhancement during thermal oxidation of Ge+-implanted silicon |
| Auteur: |
Hossain, K. Savage, L.K. Holland, O.W. |
| Verschenen in: |
Nuclear instruments and methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms |
| Paginering: | Jaargang 241 (2005) nr. 1-4 pagina's 6 p. |
| Jaar: |
2005 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 159 van 213 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |