|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 4 van 16 gevonden artikelen
| Titel: |
Cell structure and saturation effects of radiation-hardened power VDMOSFET devices under extreme dose X-ray irradiation |
| Auteur: |
Wang, Zhaoye Park, Mun-Soo Gillberg, James E Wie, Chu R |
| Verschenen in: |
Nuclear instruments and methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms |
| Paginering: | Jaargang 211 (2003) nr. 2 pagina's 8 p. |
| Jaar: |
2003 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 4 van 16 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |