|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 68 van 242 gevonden artikelen
| Titel: |
Effects of implantation conditions on the luminescence properties of Eu-doped GaN |
| Auteur: |
Nakanishi, Y. Wakahara, A. Okada, H. Yoshida, A. Ohshima, T. Itoh, H. Nakao, S. Saito, K. Kim, Y.T. |
| Verschenen in: |
Nuclear instruments and methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms |
| Paginering: | Jaargang 206 (2003) nr. C pagina's 4 p. |
| Jaar: |
2003 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Science B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 68 van 242 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |