|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 43 van 242 gevonden artikelen
| Titel: |
Creation and annealing of defect structures in silicon-based semiconductors during and after implantations at 77–500 K |
| Auteur: |
Weyer, G. Gunnlaugsson, H.P. Dietrich, M. Fanciulli, M. Bharuth-Ram, K. Sielemann, R. |
| Verschenen in: |
Nuclear instruments and methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms |
| Paginering: | Jaargang 206 (2003) nr. C pagina's 5 p. |
| Jaar: |
2003 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Science B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 43 van 242 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |