|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 7 van 20 gevonden artikelen
| Titel: |
Different strain relaxation mechanisms in strained Si/Si1−x Ge x /Si heterostructures by high dose B+ and BF2 + doping |
| Auteur: |
Chen, ChangChun Lindgren, Ann-Chatrin Zhang, ShiLi Zhu, DeZhang Vantomme, A. |
| Verschenen in: |
Nuclear instruments and methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms |
| Paginering: | Jaargang 198 (2002) nr. 1-2 pagina's 7 p. |
| Jaar: |
2002 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Science B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 7 van 20 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |