|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 43 van 159 gevonden artikelen
| Titel: |
Empirical potential approach for defect properties in 3C-SiC |
| Auteur: |
Gao, Fei Weber, William J. |
| Verschenen in: |
Nuclear instruments and methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms |
| Paginering: | Jaargang 191 (2002) nr. 1-4 pagina's 5 p. |
| Jaar: |
2002 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Science B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 43 van 159 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |