|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 13 van 71 gevonden artikelen
| Titel: |
Dose rate and temperature dependence of Ge range profiles in Si obtained by channeling implantation |
| Auteur: |
Posselt, M Teichert, J Bischoff, L Hausmann, S |
| Verschenen in: |
Nuclear instruments and methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms |
| Paginering: | Jaargang 178 (2001) nr. 1-4 pagina's 6 p. |
| Jaar: |
2001 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Science B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 13 van 71 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |