|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 5 van 13 gevonden artikelen
| Titel: |
Defect and dopant depth profiles in boron-implanted silicon studied with channeling and nuclear reaction analysis |
| Auteur: |
Vos, M. Boerma, D.O. Smulders, P.J.M. Oosterhoff, S. |
| Verschenen in: |
Nuclear instruments and methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms |
| Paginering: | Jaargang 17 (1986) nr. 3 pagina's 8 p. |
| Jaar: |
1986 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 5 van 13 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |