|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 5 van 17 gevonden artikelen
| Titel: |
Influence of extended structural defects on the effective carrier concentration of p-type Hg0.78Cd0.22Te implanted with aluminium ions |
| Auteur: |
Lévêque, P Declémy, A Renault, P.O |
| Verschenen in: |
Nuclear instruments and methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms |
| Paginering: | Jaargang 168 (2000) nr. 1 pagina's 7 p. |
| Jaar: |
2000 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Science B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 5 van 17 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |