|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 8 van 50 gevonden artikelen
| Titel: |
Effect of 50 and 80 MeV phosphorous ions on the contribution of interface and oxide state density in n-channel MOSFETs |
| Auteur: |
Shinde, N.S Dhole, S.D Kanjilal, D Bhoraskar, V.N |
| Verschenen in: |
Nuclear instruments and methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms |
| Paginering: | Jaargang 156 (1999) nr. 1-4 pagina's 5 p. |
| Jaar: |
1999 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Science B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 8 van 50 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |