|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 9 van 214 gevonden artikelen
| Titel: |
Atomic-level characterisation of ion-induced amorphisation in compound semiconductors |
| Auteur: |
Ridgway, M.C Glover, C.J Bezakova, E Byrne, A.P Foran, G.J Yu, K.M |
| Verschenen in: |
Nuclear instruments and methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms |
| Paginering: | Jaargang 148 (1999) nr. 1-4 pagina's 5 p. |
| Jaar: |
1999 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Science B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 9 van 214 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |