|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 61 van 75 gevonden artikelen
| Titel: |
Si/Ge x Si1− x heterojunction bipolar transistors formed by Ge ion implantation in Si. Narrowing of band gap and base width |
| Auteur: |
Lombardo, S. Spinella, C. Campisano, S.U. Pinto, A. Ward, P. |
| Verschenen in: |
Nuclear instruments and methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms |
| Paginering: | Jaargang 147 (1999) nr. 1-4 pagina's 6 p. |
| Jaar: |
1999 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Science B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 61 van 75 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |