|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 21 van 128 gevonden artikelen
| Titel: |
Defect formation in amorphous SiO2 by ion implantation: Electronic excitation effects and chemical effects |
| Auteur: |
Hosono, Hideo Matsunami, Noriaki |
| Verschenen in: |
Nuclear instruments and methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms |
| Paginering: | Jaargang 141 (1998) nr. 1-4 pagina's 9 p. |
| Jaar: |
1998 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Science B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 21 van 128 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |