|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 11 van 22 gevonden artikelen
| Titel: |
Electrically active defects in BF2 + implanted and germanium preamorphized silicon |
| Auteur: |
Boussaid, Farid Benzohra, Mohammed Olivie, François Alquier, Daniel Martinez, Augustin |
| Verschenen in: |
Nuclear instruments and methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms |
| Paginering: | Jaargang 134 (1998) nr. 2 pagina's 7 p. |
| Jaar: |
1998 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 11 van 22 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |