|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 9 van 27 gevonden artikelen
| Titel: |
Defect levels of proton-irradiated silicon with a dose of 3.6 × 1013cm−2 |
| Auteur: |
Schmidt, D.C. Barbot, J.F. Blanchard, C. Ntsoenzok, E. |
| Verschenen in: |
Nuclear instruments and methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms |
| Paginering: | Jaargang 132 (1997) nr. 3 pagina's 8 p. |
| Jaar: |
1997 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 9 van 27 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |