|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 21 van 24 gevonden artikelen
| Titel: |
Strain induced defects in Si1−x Ge x-alloy layers formed by solid phase epitaxial growth of 40 keV Ge+ ion implanted silicon |
| Auteur: |
Songsiriritthigul, Prayoon Holmén, G. |
| Verschenen in: |
Nuclear instruments and methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms |
| Paginering: | Jaargang 124 (1997) nr. 1 pagina's 8 p. |
| Jaar: |
1997 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 21 van 24 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |