|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 16 van 30 gevonden artikelen
| Titel: |
Formation of heavily doped semiconductor layers by pulsed ion beam treatment |
| Auteur: |
Bayazitov, R.M. Zakirzyanova, L.Kh. Khaibullin, I.B. Remnev, G.E. |
| Verschenen in: |
Nuclear instruments and methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms |
| Paginering: | Jaargang 122 (1997) nr. 1 pagina's 4 p. |
| Jaar: |
1997 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 16 van 30 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |