|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 8 van 68 gevonden artikelen
| Titel: |
Characterization of Si Ge x Si 1 − x heterojunction bipolar transistors formed by Ge ion implantation in Si |
| Auteur: |
Lombardo, S. Raineri, V. Portoghese, R. Campisano, S.U. Pinto, A. La Rosa, G. Ward, P. |
| Verschenen in: |
Nuclear instruments and methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms |
| Paginering: | Jaargang 120 (1996) nr. 1-4 pagina's 4 p. |
| Jaar: |
1996 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 8 van 68 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |