|
2 MeV Si ion implantation damage in relaxed Si1−x Ge x |
|
|
|
Titel: |
2 MeV Si ion implantation damage in relaxed Si1−x Ge x |
Auteur: |
O'Raifeartaigh, C. Barklie, R.C. Nylandsted Larsen, A. Priolo, F. Franzó, G. Lulli, G. Bianconi, M. Lindner, J.K.N. Cristiano, F. Hemment, P.L.F. |
Verschenen in: |
Nuclear instruments and methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms |
Paginering: |
Jaargang 120 (1996) nr. 1-4 pagina's 4 p. |
Jaar: |
1996 |
Inhoud: |
|
Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
|
|
|
|