|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 19 van 153 gevonden artikelen
| Titel: |
Channeled ion assisted epitaxial growth of Ge on thin Si substrates |
| Auteur: |
Saitoh, Kazuo Niwa, Hiroaki Nakao, Setsuo Miyagawa, Yoshiko Miyagawa, Soji |
| Verschenen in: |
Nuclear instruments and methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms |
| Paginering: | Jaargang 118 (1996) nr. 1-4 pagina's 6 p. |
| Jaar: |
1996 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 19 van 153 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |