|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 56 van 124 gevonden artikelen
| Titel: |
Ion-beam-induced epitaxial crystallisation of metastable Si1−x−y Ge xCy layers fabricated by Ge and C ion implantation |
| Auteur: |
Kobayashi, Naoto Hasegawa, Masataka Hayashi, Nobuyuki Tanoue, Hisao Shibata, Hajime Makita, Yunosuke |
| Verschenen in: |
Nuclear instruments and methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms |
| Paginering: | Jaargang 106 (1995) nr. 1-4 pagina's 5 p. |
| Jaar: |
1995 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 56 van 124 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |