|
| volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 1 van 124 gevonden artikelen
| Titel: |
A comparative study of deep levels created by low dose implantation of hydrogen, oxygen and silicon into MOCVD grown n-GaAs |
| Auteur: |
Tan, H.H Williams, J.S Jagadish, C |
| Verschenen in: |
Nuclear instruments and methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms |
| Paginering: | Jaargang 106 (1995) nr. 1-4 pagina's 5 p. |
| Jaar: |
1995 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 1 van 124 gevonden artikelen
| volgende >> |