|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 88 van 112 gevonden artikelen
| Titel: |
Study of basic mechanisms of single event upset in low-capacitance Si and GaAs diodes using high-energy microbeams |
| Auteur: |
Nishijima, T. Sekiguchi, H. Matsuda, S. Takeuchi, M. Shiono, N. Anayama, H. Mirio, A. |
| Verschenen in: |
Nuclear instruments and methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms |
| Paginering: | Jaargang 104 (1995) nr. 1-4 pagina's 5 p. |
| Jaar: |
1995 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 88 van 112 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |