|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 7 van 17 gevonden artikelen
| Titel: |
Characterization of GeSi layers formed by high dose Ge implantation into Si |
| Auteur: |
Cheung, W.Y. Wong, S.P. Wilson, I.H. Zhang, T.H. |
| Verschenen in: |
Nuclear instruments and methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms |
| Paginering: | Jaargang 101 (1995) nr. 3 pagina's 4 p. |
| Jaar: |
1995 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 7 van 17 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |