|
| << vorige |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 18 van 18 gevonden artikelen
| Titel: |
The effect of the undoped GaN/buffer-layer interface on the operation of Schottky diodes and MESFET devices |
| Auteur: |
Noor Elahi, Asim M. Atalla, Mahmoud R.M. Mo, Chen Zhang, Wenjun Liu, Shengshi Zhang, Zhifang Jiang, Zhenyu Liu, Jie Sun, Xiaowei Chang, Min Zhang, Xuedian Hsu, Jian |
| Verschenen in: |
Microelectronic engineering |
| Paginering: | Jaargang 214 (2019) nr. C pagina's 38-43 |
| Jaar: |
2019 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 18 van 18 gevonden artikelen
| << vorige |