|
Forming gas anneal induced flat-band voltage shift of metal-oxide-semiconductor stacks and its link with hydrogen incorporation in metal gates |
|
|
|
Titel: |
Forming gas anneal induced flat-band voltage shift of metal-oxide-semiconductor stacks and its link with hydrogen incorporation in metal gates |
Auteur: |
Li, Z. Schram, T. Pantisano, L. Witters, T. Stesmans, A. Akheyar, A. Afanasiev, V.V. Yamada, N. Takaaki, T. De Gendt, S. De Meyer, K. |
Verschenen in: |
Microelectronic engineering |
Paginering: |
Jaargang 84 (2007) nr. 9-10 pagina's 4 p. |
Jaar: |
2007 |
Inhoud: |
|
Uitgever: |
Elsevier B.V. |
Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
|
|
|
|