|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 111 van 187 gevonden artikelen
| Titel: |
Kinetics of chemical vapor deposition of WSi x films from WF6 and SiH2Cl2: Effect of added H2, SiH4, and Si2H6 |
| Auteur: |
Saito, Takeyasu Shimogaki, Yukihiro Egashira, Yasuyuki Sugawara, Katsuro Takahiro, Katsumi Nagata, Shinji Yamaguchi, Sadae Komiyama, Hiroshi |
| Verschenen in: |
Microelectronic engineering |
| Paginering: | Jaargang 83 (2006) nr. 10 pagina's 7 p. |
| Jaar: |
2006 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 111 van 187 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |