|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 17 van 64 gevonden artikelen
| Titel: |
Epitaxial growth of AlN on c-plane sapphire by High Temperature Hydride Vapor Phase Epitaxy: Influence of the gas phase N/Al ratio and low temperature protective layer |
| Auteur: |
Boichot, R. Coudurier, N. Mercier, F. Lay, S. Crisci, A. Coindeau, S. Claudel, A. Blanquet, E. Pons, M. |
| Verschenen in: |
Surface & coatings technology |
| Paginering: | Jaargang 237 (2013) nr. C pagina's 8 p. |
| Jaar: |
2013 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 17 van 64 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |