Details van artikel 108 van 135 gevonden artikelen
Reduction of oxide leakage currents of EEPROM at STI corners using sacrificial oxide/liner SiN/LPCVD MTO
Titel:
Reduction of oxide leakage currents of EEPROM at STI corners using sacrificial oxide/liner SiN/LPCVD MTO
Auteur:
Kim, M.S. Roh, Y. Park, C.S. Cho, I.S. Jeoun, I.H. Ahn, E.Y. Kim, B.H. Kim, K.J. Nam, S.K. Park, H.S. Nam, D.W. Baek, C.Y. Park, W.H. Kim, B.H. Park, S.W. Kim, M.S.
Verschenen in:
Surface & coatings technology
Paginering:
Jaargang 202 (2008) nr. 22-23 pagina's 4 p.
Jaar:
2008
Inhoud:
Uitgever:
Elsevier B.V.
Bronbestand:
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften
Details van artikel 108 van 135 gevonden artikelen