|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 138 van 192 gevonden artikelen
| Titel: |
Robust SiO2 gate dielectric thin films prepared through plasma-enhanced atomic layer deposition involving di-sopropylamino silane (DIPAS) and oxygen plasma: Application to amorphous oxide thin film transistors |
| Auteur: |
Choi, Yoo-Jin Bae, Seung-Muk Kim, Jae-Hwan Kim, Eui-Hyun Hwang, Hee-Soo Park, Jeong-Woo Yang, Heesun Choi, Eunsoo Hwang, Jin-Ha |
| Verschenen in: |
Ceramics international |
| Paginering: | Jaargang 44 () nr. 2 pagina's 1556-1565 |
| Jaar: |
2018 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd and Techna Group S.r.l. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 138 van 192 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |