|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 17 van 18 gevonden artikelen
| Titel: |
The dependence of room-temperature photoluminescence efficiency of Si-doped Al x Ga1−x As on the V III flux ratio used during growth by molecular-beam epitaxy |
| Auteur: |
Tsui, R.K. Curless, J.A. Kramer, G.D. Peffley, M.S. |
| Verschenen in: |
Materials letters |
| Paginering: | Jaargang 3 (1984) nr. 1-2 pagina's 4 p. |
| Jaar: |
1984 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 17 van 18 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |